Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IRFBC42

IRFBC42

工場モデル IRFBC42
メーカー Harris Corporation
詳細な説明 N-CHANNEL POWER MOSFET
パッケージ TO-220
株式 124919 pcs
データシート
提案された価格 (米ドルでの測定)
314
$0.336
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのHarris Corporationシリーズの電子コンポーネントを専門としています。124919のHarris Corporation IRFBC42の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 1.6Ohm @ 3.4A, 10V
電力消費(最大) 125W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Bulk
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1300 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 60 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 600 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 5.4A (Tc)

おすすめ商品

IRFBC42 データテーブルPDF