HYB25D512800CE-6
工場モデル | HYB25D512800CE-6 |
---|---|
メーカー | Qimonda |
詳細な説明 | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II |
パッケージ | 66-TSOP II |
株式 | 13779 pcs |
データシート | HY(B/I)25D512(40/80/16)0C(C/E/F/T)(L) |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 |
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$2.58 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - |
電源電圧 - | 2.3V ~ 2.7V |
技術 | SDRAM - DDR |
サプライヤデバイスパッケージ | 66-TSOP II |
シリーズ | - |
パッケージ/ケース | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | 0°C ~ 70°C (TA) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
メモリタイプ | Volatile |
記憶容量 | 512Mbit |
メモリ組織 | 64M x 8 |
メモリインタフェース | Parallel |
メモリ形式 | DRAM |
クロック周波数 | 166 MHz |
基本製品番号 | HYB25D512 |
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