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Goford Semiconductor

GT250P10T

工場モデル GT250P10T
メーカー Goford Semiconductor
詳細な説明 MOSFET P-CH 100V 56A TO-220
パッケージ TO-220
株式 123956 pcs
データシート GT250P10T
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.648 $0.582 $0.468 $0.385 $0.319 $0.297 $0.286 $0.276
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGoford Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。123956のGoford Semiconductor GT250P10Tの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 30mOhm @ 10A, 10V
電力消費（最大） 173.6W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4059 pF @ 50 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 73 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 56A (Tc)

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