GT180P08T
| 工場モデル | GT180P08T |
|---|---|
| メーカー | Goford Semiconductor |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 80V 89A TO-220 |
| パッケージ | TO-220 |
| 株式 | 123575 pcs |
| データシート | GT180P08T |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| $0.642 | $0.578 | $0.464 | $0.381 | $0.316 | $0.294 | $0.283 | $0.273 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 17mOhm @ 20A, 10V |
| 電力消費（最大） | 245W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6040 pF @ 40 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 62 nC @ 10 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 89A (Tc) |
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