GT030N08T
工場モデル | GT030N08T |
---|---|
メーカー | Goford Semiconductor |
詳細な説明 | N85V,200A,RD<3.0M@10V,VTH2.0V~4. |
パッケージ | TO-220 |
株式 | 43128 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
50 |
---|
$0.847 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGoford Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。43128のGoford Semiconductor GT030N08Tの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 3mOhm @ 20A, 10V |
電力消費(最大) | 260W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Tube |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5822 pF @ 50 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 112 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 85 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 200A (Tc) |
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