Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > G900P15M
Goford Semiconductor

G900P15M

工場モデル G900P15M
メーカー Goford Semiconductor
詳細な説明 P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
パッケージ TO-263
株式 78488 pcs
データシート G900P15M
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100
$0.573 $0.515 $0.414
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGoford Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。78488のGoford Semiconductor G900P15Mの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-263
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 80mOhm @ 5A, 10V
電力消費（最大） 100W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4056 pF @ 75 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 27 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 150 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 60A (Tc)

おすすめ商品

G900P15M データテーブルPDF

データシート

G900P15Mに関連した語彙

G900P15M関連コンポーネント