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Goford Semiconductor

G60N10K

工場モデル G60N10K
メーカー Goford Semiconductor
詳細な説明 N90V,60A,RD<25M@10V,VTH0.8V~2.5V
パッケージ TO-252
株式 337260 pcs
データシート G60N10K
提案された価格 （米ドルでの測定）
2500 15000 30000 50000
$0.127 $0.117 $0.105 $0.097
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGoford Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。337260のGoford Semiconductor G60N10Kの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-252
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 25mOhm @ 20A, 10V
電力消費（最大） 56W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4118 pF @ 50 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 111 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 90 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 60A (Tc)

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