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Goford Semiconductor

G58N06K

工場モデル G58N06K
メーカー Goford Semiconductor
詳細な説明 N60V,58A,RD<13M@10V,VTH1.0V~2.5V
パッケージ TO-252
株式 618631 pcs
データシート G58N06K
提案された価格 （米ドルでの測定）
2500 15000 30000 50000
$0.092 $0.085 $0.077 $0.071
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGoford Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。618631のGoford Semiconductor G58N06Kの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-252
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 13mOhm @ 30A, 10V
電力消費（最大） 71W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2841 pF @ 30 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 36 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 58A (Tc)

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