Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > G50N03J
Goford Semiconductor

G50N03J

工場モデル G50N03J
メーカー Goford Semiconductor
詳細な説明 N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
パッケージ TO-251
株式 4494 pcs
データシート G50N03J
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGoford Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4494のGoford Semiconductor G50N03Jの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2.5V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-251
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 7mOhm @ 20A, 10V
電力消費(最大) 48W (Tc)
パッケージ/ケース TO-251-3 Stub Leads, IPak
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1255 pF @ 15 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 16.6 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 65A (Tc)

おすすめ商品

G50N03J データテーブルPDF

データシート