Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > G35N02K
Goford Semiconductor

G35N02K

工場モデル G35N02K
メーカー Goford Semiconductor
詳細な説明 N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,RD(MAX)<18
パッケージ TO-252
株式 537882 pcs
データシート G35N02K
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.171 $0.148 $0.11 $0.087 $0.067
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGoford Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。537882のGoford Semiconductor G35N02Kの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1.2V @ 250µA
Vgs（最大） ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-252
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 13mOhm @ 20A, 4.5V
電力消費（最大） 40W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1380 pF @ 10 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 24 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 2.5V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 35A (Tc)

おすすめ商品

G35N02K データテーブルPDF

データシート

G35N02Kに関連した語彙

G35N02K関連コンポーネント