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Goford Semiconductor

G30N03D3

工場モデル G30N03D3
メーカー Goford Semiconductor
詳細な説明 N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
パッケージ 8-DFN (3.15x3.05)
株式 1228964 pcs
データシート G30N03D3
提案された価格 （米ドルでの測定）
5000 15000 30000 50000
$0.048 $0.044 $0.04 $0.037
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGoford Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。1228964のGoford Semiconductor G30N03D3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-DFN (3.15x3.05)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 7mOhm @ 20A, 10V
電力消費（最大） 24W
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
製品属性 属性値
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 825 pF @ 15 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 13 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 30A

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