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Goford Semiconductor

G250N03IE

工場モデル G250N03IE
メーカー Goford Semiconductor
詳細な説明 N30V,ESD 5.3A,RD<25M@10V,VTH0.5V
パッケージ SOT-23-3
株式 4061017 pcs
データシート G250N03IE
提案された価格 （米ドルでの測定）
3000 15000 30000 51000
$0.014 $0.013 $0.012 $0.011
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGoford Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4061017のGoford Semiconductor G250N03IEの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1.3V @ 250µA
Vgs（最大） ±10V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 25mOhm @ 4A, 10V
電力消費（最大） 1.4W (Tc)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 573 pF @ 15 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 9.1 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 2.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 5.3A (Tc)

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