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Goford Semiconductor

G220P02D2

工場モデル G220P02D2
メーカー Goford Semiconductor
詳細な説明 P-20V,-8A,RD(MAX)<25M@-4.5V,VTH-
パッケージ 6-DFN (2x2)
株式 1779036 pcs
データシート G220P02D2
提案された価格 (米ドルでの測定)
3000 15000 30000 51000
$0.031 $0.028 $0.025 $0.024
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGoford Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。1779036のGoford Semiconductor G220P02D2の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 1.2V @ 250µA
Vgs(最大) ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 6-DFN (2x2)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 20mOhm @ 6A, 10V
電力消費(最大) 3.5W (Tc)
パッケージ/ケース 6-UDFN Exposed Pad
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1873 pF @ 10 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 14 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 8A (Tc)

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G220P02D2 データテーブルPDF

データシート