G20N06D52

工場モデル	G20N06D52
メーカー	Goford Semiconductor
詳細な説明	N60V,RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40M
パッケージ	8-DFN (4.9x5.75)
株式	608523 pcs
データシート	G20N06D52

提案された価格（米ドルでの測定）

5000	15000	30000	50000
$0.081	$0.074	$0.067	$0.062

納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGoford Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。608523のGoford Semiconductor G20N06D52の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性	属性値
同上@ VGS（TH）（最大）	2.5V @ 250µA
技術	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ	8-DFN (4.9x5.75)
シリーズ	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	30mOhm @ 20A, 10V
電力 - 最大	45W (Ta)
パッケージ/ケース	8-PowerTDFN
パッケージ	Tape & Reel (TR)
運転温度	-55°C ~ 175°C (TJ)

製品属性	属性値
装着タイプ	Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1220pF @ 30V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	25nC @ 10V
FET特長	-
ソース電圧（VDSS）にドレイン	60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	20A (Ta)
コンフィギュレーション	2 N-Channel (Dual)
基本製品番号	G20N

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