G1K2C10S2
| 工場モデル | G1K2C10S2 |
|---|---|
| メーカー | Goford Semiconductor |
| 詳細な説明 | NP100V, 3A,RD<130M@10V,RD<200M@- |
| パッケージ | 8-SOP |
| 株式 | 519692 pcs |
| データシート | G1K2C10S2 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 4000 | 16000 | 32000 | 48000 |
|---|---|---|---|
| $0.085 | $0.078 | $0.07 | $0.065 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGoford Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。519692のGoford Semiconductor G1K2C10S2の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOP |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 130mOhm @ 5A, 10V, 200mOhm @ 3A, 10V |
| 電力 - 最大 | 2W (Tc), 3.1W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 668pF @ 50V, 1732pF @ 50V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 22nC @ 10V, 23nC @ 10V |
| FET特長 | Standard |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3A (Tc), 3.5A (Tc) |
| コンフィギュレーション | - |
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