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Goford Semiconductor

G160P03KI

工場モデル G160P03KI
メーカー Goford Semiconductor
詳細な説明 P-30V,-30A,RD(MAX)<16M@-10V,VTH-
パッケージ TO-252
株式 991768 pcs
データシート G160P03KI
提案された価格 （米ドルでの測定）
2500 15000 30000 50000
$0.062 $0.058 $0.052 $0.048
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGoford Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。991768のGoford Semiconductor G160P03KIの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-252
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 16mOhm @ 10A, 10V
電力消費（最大） 60W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1811 pF @ 15 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 31.2 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 30A (Tc)

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