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Goford Semiconductor

G12P06K

工場モデル G12P06K
メーカー Goford Semiconductor
詳細な説明 P-60V,-12A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
パッケージ TO-252
株式 1100431 pcs
データシート G12P06K
提案された価格 (米ドルでの測定)
2500 15000 30000 50000
$0.049 $0.046 $0.041 $0.038
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGoford Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。1100431のGoford Semiconductor G12P06Kの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 3V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-252
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 75mOhm @ 6A, 10V
電力消費(最大) 27W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1108 pF @ 30 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 23 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 12A (Tc)

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G12P06K データテーブルPDF

データシート