G100C04D52
| 工場モデル | G100C04D52 |
|---|---|
| メーカー | Goford Semiconductor |
| 詳細な説明 | N/P 40V,40A/-24A,RD(MAX)<9M/16M@ |
| パッケージ | 8-DFN (4.9x5.75) |
| 株式 | 332790 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 5000 |
|---|
| $0.107 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-DFN (4.9x5.75) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9mOhm @ 30A, 10V, 16mOhm @ 10A, 10V |
| 電力 - 最大 | 65W (Tc), 50W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2213pF @ 20V, 2451pF @ 20V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 29nC @ 10V, 45nC @ 10V |
| FET特長 | Standard |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A (Tc), 24A (Tc) |
| コンフィギュレーション | - |
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