G080P06T
| 工場モデル | G080P06T |
|---|---|
| メーカー | Goford Semiconductor |
| 詳細な説明 | P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT |
| パッケージ | TO-220 |
| 株式 | 157589 pcs |
| データシート | G080P06T |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 3000 | 9000 | 15000 | 30000 | 51000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.315 | $0.303 | $0.291 | $0.262 | $0.243 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGoford Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。157589のGoford Semiconductor G080P06Tの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7.5mOhm @ 20A, 10V |
| 電力消費（最大） | 294W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 15195 pF @ 30 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 186 nC @ 10 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 195A (Tc) |
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