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Goford Semiconductor

G075N06MI

工場モデル G075N06MI
メーカー Goford Semiconductor
詳細な説明 N60V, 110A,RD<7M@10V,VTH1.0V~4.0
パッケージ TO-263
株式 311223 pcs
データシート
提案された価格 （米ドルでの測定）
1600 8000 16000 32000 48000
$0.176 $0.168 $0.162 $0.146 $0.135
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGoford Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。311223のGoford Semiconductor G075N06MIの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-263
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 7mOhm @ 20A, 10V
電力消費（最大） 160W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 6443 pF @ 30 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 90 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 110A (Tc)

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