Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > 630AT
Goford Semiconductor

630AT

工場モデル 630AT
メーカー Goford Semiconductor
詳細な説明 N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3
パッケージ TO-220
株式 5034 pcs
データシート 630AT
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGoford Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5034のGoford Semiconductor 630ATの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.2V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 250mOhm @ 1A, 10V
電力消費（最大） 83W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 509 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 11.8 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 200 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 9A (Tc)

おすすめ商品

630AT データテーブルPDF

データシート

630ATに関連した語彙

630AT関連コンポーネント