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まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > 25P06
Goford Semiconductor

25P06

工場モデル 25P06
メーカー Goford Semiconductor
詳細な説明 P60V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T
パッケージ TO-252
株式 598744 pcs
データシート 25P06
提案された価格 （米ドルでの測定）
2500 15000 30000 50000
$0.089 $0.083 $0.074 $0.069
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGoford Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。598744のGoford Semiconductor 25P06の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-252
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 45mOhm @ 12A, 10V
電力消費（最大） 100W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 3384 pF @ 30 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 37 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 25A (Tc)

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データシート

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