2301H
工場モデル | 2301H |
---|---|
メーカー | Goford Semiconductor |
詳細な説明 | P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)< |
パッケージ | SOT-23-3 |
株式 | 4010389 pcs |
データシート | 2301H |
提案された価格 (米ドルでの測定)
3000 | 15000 | 30000 | 51000 |
---|---|---|---|
$0.012 | $0.011 | $0.01 | $0.009 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGoford Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4010389のGoford Semiconductor 2301Hの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 125mOhm @ 3A, 10V |
電力消費(最大) | 1W (Ta) |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 405 pF @ 10 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 12 nC @ 2.5 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2A (Ta) |
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