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GeneSiC Semiconductor

MUR10060CT

工場モデル MUR10060CT
メーカー GeneSiC Semiconductor
詳細な説明 DIODE MODULE 600V 50A 2TOWER
パッケージ Twin Tower
株式 4004 pcs
データシート DK OBS NOTICEMUR10040CT thru 10060CTR
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGeneSiC Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4004のGeneSiC Semiconductor MUR10060CTの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ 1.7 V @ 50 A
電圧 - 逆(VR)(最大) 600 V
技術 Standard
サプライヤデバイスパッケージ Twin Tower
速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
シリーズ -
逆回復時間(trrの) 110 ns
製品属性 属性値
パッケージ/ケース Twin Tower
パッケージ Bulk
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 150°C
装着タイプ Chassis Mount
ダイオード構成 1 Pair Common Cathode
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 25 µA @ 50 V
電流 - 平均整流(イオ​​)(ダイオード当たり) 50A

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MUR10060CT データテーブルPDF

データシート