MBRT20080R
工場モデル | MBRT20080R |
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メーカー | GeneSiC Semiconductor |
詳細な説明 | DIODE MODULE 80V 100A 3TOWER |
パッケージ | Three Tower |
株式 | 1041 pcs |
データシート | MBRT20045 thru MBRT200100R |
提案された価格 (米ドルでの測定)
80 |
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$39.381 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 880 mV @ 100 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 80 V |
技術 | Schottky |
サプライヤデバイスパッケージ | Three Tower |
速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
シリーズ | - |
パッケージ/ケース | Three Tower |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Bulk |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C |
装着タイプ | Chassis Mount |
ダイオード構成 | 1 Pair Common Anode |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1 mA @ 20 V |
電流 - 平均整流(イオ)(ダイオード当たり) | 100A |
基本製品番号 | MBRT20080 |
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