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GeneSiC Semiconductor

MBR60080CTR

工場モデル MBR60080CTR
メーカー GeneSiC Semiconductor
詳細な説明 DIODE MODULE 80V 300A 2TOWER
パッケージ Twin Tower
株式 883 pcs
データシート MBR60045CT thru MBR600100CTR
提案された価格 （米ドルでの測定）
80
$51.815
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGeneSiC Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。883のGeneSiC Semiconductor MBR60080CTRの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 880 mV @ 300 A
電圧 - 逆（VR）（最大） 80 V
技術 Schottky
サプライヤデバイスパッケージ Twin Tower
速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
シリーズ -
パッケージ/ケース Twin Tower
製品属性 属性値
パッケージ Bulk
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 150°C
装着タイプ Chassis Mount
ダイオード構成 1 Pair Common Anode
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 1 mA @ 20 V
電流 - 平均整流（イオ​​）（ダイオード当たり） 300A
基本製品番号 MBR60080

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