GD2X150MPS06N
| 工場モデル | GD2X150MPS06N |
|---|---|
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
| 詳細な説明 | 650V 300A SOT-227 SIC SCHOTTKY M |
| パッケージ | SOT-227 |
| 株式 | 1673 pcs |
| データシート | GD2X150MPS06N |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $26.76 | $25.422 | $24.123 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGeneSiC Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。1673のGeneSiC Semiconductor GD2X150MPS06Nの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.8 V @ 150 A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 650 V |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227 |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| シリーズ | SiC Schottky MPS™ |
| 逆回復時間（trrの） | 0 ns |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| パッケージ | Tube |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
| 装着タイプ | Chassis Mount |
| ダイオード構成 | 2 Independent |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 650 V |
| 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり） | 150A (DC) |
| 基本製品番号 | GD2X |
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