GD02MPS12E
| 工場モデル | GD02MPS12E |
|---|---|
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
| 詳細な説明 | DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO252-2 |
| パッケージ | TO-252-2 |
| 株式 | 87713 pcs |
| データシート | GD02MPS12E |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 25 | 100 | 250 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| $0.579 | $0.5 | $0.472 | $0.432 | $0.408 | $0.39 | $0.373 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.8 V @ 2 A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 1200 V |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252-2 |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| シリーズ | SiC Schottky MPS™ |
| 逆回復時間（trrの） | 0 ns |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 1200 V |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 8A |
| Vrと、F @キャパシタンス | 73pF @ 1V, 1MHz |
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