GC02MPS12-220
工場モデル | GC02MPS12-220 |
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メーカー | GeneSiC Semiconductor |
詳細な説明 | DIODE SIL CARB 1.2KV 12A TO220-2 |
パッケージ | TO-220-2 |
株式 | 67921 pcs |
データシート | GC02MPS12-220 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
12000 |
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$0.49 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.8 V @ 2 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 1200 V |
技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-2 |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
シリーズ | SiC Schottky MPS™ |
逆回復時間(trrの) | 0 ns |
パッケージ/ケース | TO-220-2 |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Tube |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
装着タイプ | Through Hole |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 2 µA @ 1200 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 12A |
Vrと、F @キャパシタンス | 127pF @ 1V, 1MHz |
基本製品番号 | GC02MPS12 |
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