GBJ35D
工場モデル | GBJ35D |
---|---|
メーカー | GeneSiC Semiconductor |
詳細な説明 | 200V 35A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE |
パッケージ | GBJ |
株式 | 70871 pcs |
データシート | GBJ35B thru GBJ35G |
提案された価格 (米ドルでの測定)
3000 |
---|
$0.618 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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電圧 - ピーク逆(最大) | 200 V |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.1 V @ 17.5 A |
技術 | Standard |
サプライヤデバイスパッケージ | GBJ |
シリーズ | - |
パッケージ/ケース | 4-SIP, GBJ |
パッケージ | Bulk |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
ダイオードタイプ | Single Phase |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 200 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 35 A |
基本製品番号 | GBJ35 |
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