GB50SLT12-247
工場モデル | GB50SLT12-247 |
---|---|
メーカー | GeneSiC Semiconductor |
詳細な説明 | DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-2 |
パッケージ | TO-247-2 |
株式 | 4085 pcs |
データシート | DK OBS NOTICEGB50SLT12-247 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.8 V @ 50 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 1200 V |
技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-2 |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
シリーズ | - |
逆回復時間(trrの) | 0 ns |
パッケージ/ケース | TO-247-2 |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Tube |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
装着タイプ | Through Hole |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1 mA @ 1200 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 50A |
Vrと、F @キャパシタンス | 2940pF @ 1V, 1MHz |
基本製品番号 | GB50SLT12 |
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