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GeneSiC Semiconductor

GB01SLT12-252

工場モデル GB01SLT12-252
メーカー GeneSiC Semiconductor
詳細な説明 DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252
パッケージ TO-252
株式 131474 pcs
データシート GB01SLT12-252
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 25 100 250 500 1000
$0.486 $0.42 $0.396 $0.361 $0.341 $0.325 $0.319
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGeneSiC Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。131474のGeneSiC Semiconductor GB01SLT12-252の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 1.8 V @ 1 A
電圧 - 逆（VR）（最大） 1200 V
技術 SiC (Silicon Carbide) Schottky
サプライヤデバイスパッケージ TO-252
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
シリーズ SiC Schottky MPS™
逆回復時間（trrの） 0 ns
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
製品属性 属性値
パッケージ Tape & Reel (TR)
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 175°C
装着タイプ Surface Mount
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 2 µA @ 1200 V
電流 - 平均整流（イオ​​） 1A
Vrと、F @キャパシタンス 69pF @ 1V, 1MHz
基本製品番号 GB01SLT12

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