GAP3SLT33-220FP
| 工場モデル | GAP3SLT33-220FP |
|---|---|
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
| 詳細な説明 | DIODE SIC 3.3KV 300MA TO220FP |
| パッケージ | TO-220FP |
| 株式 | 10131 pcs |
| データシート | GAP3SLT33-220FP Datasheet |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 8000 |
|---|
| $3.437 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.7 V @ 300 mA |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 3300 V |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220FP |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| シリーズ | SiC Schottky MPS™ |
| 逆回復時間（trrの） | 0 ns |
| パッケージ/ケース | TO-220-2 Full Pack |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| パッケージ | Tube |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 3300 V |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 300mA |
| Vrと、F @キャパシタンス | 42pF @ 1V, 1MHz |
| 基本製品番号 | GAP3SLT33 |
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