GA08JT17-247
工場モデル | GA08JT17-247 |
---|---|
メーカー | GeneSiC Semiconductor |
詳細な説明 | TRANS SJT 1700V 8A TO247AB |
パッケージ | TO-247AB |
株式 | 4815 pcs |
データシート | DK OBS NOTICEGA08JT17-247 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | - |
Vgs(最大) | - |
技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AB |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 250mOhm @ 8A |
電力消費(最大) | 48W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Tube |
運転温度 | 175°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
FETタイプ | - |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1700 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 8A (Tc) (90°C) |
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