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GeneSiC Semiconductor

GA06JT12-247

工場モデル GA06JT12-247
メーカー GeneSiC Semiconductor
詳細な説明 TRANS SJT 1200V 6A TO247AB
パッケージ TO-247AB
株式 5820 pcs
データシート Mult Devices OBS 27/Apr/2018GA06JT12-247
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGeneSiC Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5820のGeneSiC Semiconductor GA06JT12-247の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) -
Vgs(最大) -
技術 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
サプライヤデバイスパッケージ TO-247AB
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 220mOhm @ 6A
電力消費(最大) -
パッケージ/ケース TO-247-3
製品属性 属性値
パッケージ Tube
運転温度 175°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
FETタイプ -
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) -
ソース電圧(VDSS)にドレイン 1200 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 6A (Tc) (90°C)

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GA06JT12-247 データテーブルPDF

データシート