G2R1000MT17J
工場モデル | G2R1000MT17J |
---|---|
メーカー | GeneSiC Semiconductor |
詳細な説明 | SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7 |
パッケージ | TO-263-7 |
株式 | 22241 pcs |
データシート | G2R1000MT17J |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 25 | 100 | 250 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|---|---|
$2.283 | $2.044 | $1.957 | $1.832 | $1.753 | $1.696 | $1.647 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 2mA |
Vgs(最大) | +20V, -10V |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-263-7 |
シリーズ | G2R™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.2Ohm @ 2A, 20V |
電力消費(最大) | 54W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
パッケージ | Tube |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 139 pF @ 1000 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 20V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1700 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3A (Tc) |
基本製品番号 | G2R1000 |
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