DB105G
工場モデル | DB105G |
---|---|
メーカー | GeneSiC Semiconductor |
詳細な説明 | BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB |
パッケージ | DB |
株式 | 569724 pcs |
データシート | DB105G thru DB107G |
提案された価格 (米ドルでの測定)
20000 |
---|
$0.07 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - ピーク逆(最大) | 600 V |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.1 V @ 1 A |
技術 | Standard |
サプライヤデバイスパッケージ | DB |
シリーズ | - |
パッケージ/ケース | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
パッケージ | Bulk |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
ダイオードタイプ | Single Phase |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 600 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 1 A |
基本製品番号 | DB105 |
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