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GeneSiC Semiconductor

1N5830R

工場モデル 1N5830R
メーカー GeneSiC Semiconductor
詳細な説明 DIODE SCHOTTKY REV 25V 25A DO4
パッケージ DO-4
株式 8209 pcs
データシート 1N5829 thru 1N5831R
提案された価格 （米ドルでの測定）
500
$5.81
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGeneSiC Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。8209のGeneSiC Semiconductor 1N5830Rの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 580 mV @ 25 A
電圧 - 逆（VR）（最大） 25 V
技術 Schottky, Reverse Polarity
サプライヤデバイスパッケージ DO-4
速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
シリーズ -
パッケージ/ケース DO-203AA, DO-4, Stud
製品属性 属性値
パッケージ Bulk
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 150°C
装着タイプ Chassis, Stud Mount
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 2 mA @ 20 V
電流 - 平均整流（イオ​​） 25A
Vrと、F @キャパシタンス -
基本製品番号 1N5830R

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データシート

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