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GeneSiC Semiconductor

1N3767R

工場モデル 1N3767R
メーカー GeneSiC Semiconductor
詳細な説明 DIODE GEN PURP REV 900V 35A DO5
パッケージ DO-5
株式 15478 pcs
データシート 1N3765 thru 1N3768R
提案された価格 （米ドルでの測定）
800
$2.954
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGeneSiC Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。15478のGeneSiC Semiconductor 1N3767Rの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 1.2 V @ 35 A
電圧 - 逆（VR）（最大） 900 V
技術 Standard, Reverse Polarity
サプライヤデバイスパッケージ DO-5
速度 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
シリーズ -
パッケージ/ケース DO-203AB, DO-5, Stud
製品属性 属性値
パッケージ Bulk
動作温度 - ジャンクション -65°C ~ 190°C
装着タイプ Chassis, Stud Mount
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 10 µA @ 50 V
電流 - 平均整流（イオ​​） 35A
Vrと、F @キャパシタンス -
基本製品番号 1N3767R

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データシート

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