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GeneSiC Semiconductor

1N1200A

工場モデル 1N1200A
メーカー GeneSiC Semiconductor
詳細な説明 DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
パッケージ DO-4
株式 26129 pcs
データシート 1N1199A thru 1N1206AR
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 25 100
$2.28 $1.837 $1.685 $1.525
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGeneSiC Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。26129のGeneSiC Semiconductor 1N1200Aの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 1.1 V @ 12 A
電圧 - 逆（VR）（最大） 100 V
技術 Standard
サプライヤデバイスパッケージ DO-4
速度 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
シリーズ -
パッケージ/ケース DO-203AA, DO-4, Stud
製品属性 属性値
パッケージ Bulk
動作温度 - ジャンクション -65°C ~ 200°C
装着タイプ Chassis, Stud Mount
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 10 µA @ 50 V
電流 - 平均整流（イオ​​） 12A
Vrと、F @キャパシタンス -
基本製品番号 1N1200

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