GPI65060DFN
| 工場モデル | GPI65060DFN |
|---|---|
| メーカー | GaNPower |
| 詳細な説明 | GANFET N-CH 650V 60A DFN8X8 |
| パッケージ | Die |
| 株式 | 3531 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 |
|---|
| $10.938 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGaNPowerシリーズの電子コンポーネントを専門としています。3531のGaNPower GPI65060DFNの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 3.5mA |
| Vgs（最大） | +7.5V, -12V |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| サプライヤデバイスパッケージ | Die |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | - |
| 電力消費（最大） | - |
| パッケージ/ケース | Die |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 420 pF @ 400 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 16 nC @ 6 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 60A |
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