PSMN6R0-30YLB,115
| 工場モデル | PSMN6R0-30YLB,115 |
|---|---|
| メーカー | NXP USA Inc. |
| 詳細な説明 | NOW NEXPERIA PSMN6R0-25YLD - 61A |
| パッケージ | LFPAK56, Power-SO8 |
| 株式 | 4948 pcs |
| データシート | PSMN6R0-30YLB115 Datasheet |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNXP USA Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。4948のNXP USA Inc. PSMN6R0-30YLB,115の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.95V @ 1mA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | LFPAK56, Power-SO8 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6.5mOhm @ 20A, 10V |
| 電力消費（最大） | 58W (Tc) |
| パッケージ/ケース | SC-100, SOT-669 |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1088 pF @ 15 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 71A (Tc) |
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