PSMN013-30LL,115
| 工場モデル | PSMN013-30LL,115 |
|---|---|
| メーカー | NXP USA Inc. |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN |
| パッケージ | 8-DFN3333 (3.3x3.3) |
| 株式 | 6642 pcs |
| データシート | Multiple Devices 26/Dec/2012All Dev Label Update 15/Dec/2020Multiple Devices Dec/2012NXP USA Inc REACHNXP USA Inc RoHS Cert |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.15V @ 1mA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-DFN3333 (3.3x3.3) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 13mOhm @ 5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 41W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-VDFN Exposed Pad |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 768 pF @ 15 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 12.2 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 21A (Tc) |
| 基本製品番号 | PSMN0 |
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