PMV60EN,215
工場モデル | PMV60EN,215 |
---|---|
メーカー | NXP USA Inc. |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 4.7A TO236AB |
パッケージ | SOT-23 (TO-236AB) |
株式 | 4545 pcs |
データシート | MCU Dip Supply Situation 12/May/2015Multiple Devices 01/Jul/2014All Dev Label Update 15/Dec/2020NXP USA Inc REACHNXP USA Inc RoHS Cert |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 1mA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23 (TO-236AB) |
シリーズ | TrenchMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 55mOhm @ 2A, 10V |
電力消費(最大) | 280mW (Tj) |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 350 pF @ 30 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 9.4 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4.7A (Tc) |
基本製品番号 | PMV6 |
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