PMV30UN,215
| 工場モデル | PMV30UN,215 |
|---|---|
| メーカー | NXP USA Inc. |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 20V 5.7A TO236AB |
| パッケージ | SOT-23 (TO-236AB) |
| 株式 | 4668 pcs |
| データシート | MCU Dip Supply Situation 12/May/2015Multiple Devices 01/Jul/2014All Dev Label Update 15/Dec/2020NXP USA Inc REACHNXP USA Inc RoHS CertPMV30UN |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 700mV @ 1mA (Typ) |
| Vgs（最大） | ±8V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23 (TO-236AB) |
| シリーズ | TrenchMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 36mOhm @ 2A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 1.9W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 460 pF @ 20 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 7.4 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.7A (Tc) |
| 基本製品番号 | PMV3 |
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