PMV117EN,215
工場モデル | PMV117EN,215 |
---|---|
メーカー | NXP USA Inc. |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 2.5A TO236AB |
パッケージ | SOT-23 (TO-236AB) |
株式 | 4872 pcs |
データシート | Multiple Devices 03/Jul/2013All Dev Label Update 15/Dec/2020NXP USA Inc REACHNXP USA Inc RoHS CertPMV117EN |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 1mA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23 (TO-236AB) |
シリーズ | TrenchMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 117mOhm @ 500mA, 10V |
電力消費(最大) | 830mW (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 147 pF @ 10 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 4.6 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.5A (Tc) |
基本製品番号 | PMV1 |
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