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NXP USA Inc.

PMPB23XNE,115

工場モデル PMPB23XNE,115
メーカー NXP USA Inc.
詳細な説明 MOSFET N-CH 20V 7A DFN2020MD-6
パッケージ DFN1010B-6
株式 3858 pcs
データシート
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNXP USA Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。3858のNXP USA Inc. PMPB23XNE,115の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 900mV @ 250µA
Vgs（最大） ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ DFN1010B-6
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 22mOhm @ 7A, 4.5V
電力消費（最大） 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
パッケージ/ケース 6-XFDFN Exposed Pad
パッケージ Bulk
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1136 pF @ 10 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 17 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 1.8V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 7A (Ta)

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