PMGD8000LN,115
| 工場モデル | PMGD8000LN,115 |
|---|---|
| メーカー | NXP USA Inc. |
| 詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP |
| パッケージ | 6-TSSOP |
| 株式 | 4284 pcs |
| データシート | Resin Hardener 02/Jul/2013Multiple Devices 03/Jul/2013All Dev Label Update 15/Dec/2020NXP USA Inc REACHNXP USA Inc RoHS CertPMGD8000LN |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 100µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSSOP |
| シリーズ | TrenchMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8Ohm @ 10mA, 4V |
| 電力 - 最大 | 200mW |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 18.5pF @ 5V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.35nC @ 4.5V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 125mA |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | PMGD8 |
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