PMDPB65UP,115
工場モデル | PMDPB65UP,115 |
---|---|
メーカー | NXP USA Inc. |
詳細な説明 | MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118 |
パッケージ | 6-HUSON (2x2) |
株式 | 5758 pcs |
データシート | Multiple Devices 26/Dec/2012All Dev Label Update 15/Dec/2020Multiple Devices Dec/2012NXP USA Inc REACHNXP USA Inc RoHS CertPMDPB65UP |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-HUSON (2x2) |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 70mOhm @ 1A, 4.5V |
電力 - 最大 | 520mW |
パッケージ/ケース | 6-UDFN Exposed Pad |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 380pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 6nC @ 4.5V |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.5A |
コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) |
基本製品番号 | PMDPB |
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