PHT8N06LT,135
工場モデル | PHT8N06LT,135 |
---|---|
メーカー | NXP USA Inc. |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223 |
パッケージ | SC-73 |
株式 | 5957 pcs |
データシート | Resin Hardener 02/Jul/2013MCU Dip Supply Situation 12/May/2015Multiple Devices 01/Jul/2014All Dev Label Update 15/Dec/2020NXP USA Inc REACHNXP USA Inc RoHS CertPHT8N06LT |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 1mA |
Vgs(最大) | ±13V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SC-73 |
シリーズ | TrenchMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 80mOhm @ 5A, 5V |
電力消費(最大) | 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 650 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 11.2 nC @ 5 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 55 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.5A (Ta) |
基本製品番号 | PHT8 |
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